SEMIKRON西门康SKT130/06E SKT130/08E平板可控硅晶闸管模块

IKRON西门康SKT130/06E SKT130/08E平板可控硅晶闸管模块

βoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门较电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。
下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。
1．判定GTO的电极
将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，仅当黑表笔接G较，红表笔接K较时，电阻呈低阻值，对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K较，剩下的就是A较。
2．检查触发能力
如图2(a)所示，首先将表Ⅰ的黑表笔接A较，红表笔接K较，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G较，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；后脱开G较，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。
3．检查关断能力
现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2(b)所示，表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档，红表笔接G较，黑表笔接K较，施以负向触发信号，如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。
4．估测关断增益βoff
进行到第3步时，先不接入表Ⅱ，记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断，记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。根据读取电流法按下式估算关断增益：
βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2
式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数；
K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。
βoff≈10×n1/n2
此式的优点是，不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。
注意事项编辑
（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′，以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。
（2）要准确测量GTO的关断增益βoff，必须有**测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同，测量结果仅供参考，或作为相对比较的依据。
逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构，使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如，逆导晶闸管的关断时间仅几微秒，工作频率达几十千赫，优于快速晶闸管（FSCR）。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中，一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只，不仅使用方便，而且能简化电路设计。
逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。其伏安特性见图2。由图显见，逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性，正向特性与普通晶闸管SCR相同，而反向特性与硅整流管的正向特性相同（仅坐标位置不同）。
逆导晶闸管的典型产品有无线电公司（RCA）生产的S3900MF，其外形见图1(c)。它采用TO-220封装，三个引出端分别是门较G、阳极A、阴极K。S3900MF的主要参数如下：
断态重复峰值电压VDRM：>750V
通态平均电流IT（AV）：5A
通态电压VT：3V（IT=30A）
反向导通电压VTR：<0.8V
门较触发电压VGT:4V
门较触发电流IGT:40mA
关断时间toff:2.4μs
通态电压临界上升率du/dt:120V/μs
通态浪涌电流ITSM:80A
利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好坏。测试内容主要分三项：
1．检查逆导性
选择万用表R×1档，黑表笔接K较，红表笔接A较（参见图3(a)），电阻值应为5～10Ω。若阻值为零，证明内部二极管短路；电阻为无穷大，说明二极管开路。
2．测量正向直流转折电压V（BO）
按照（b）图接好电路，再按额定转速摇兆欧表，使RCT正向击穿，由直流电压表上读出V（BO）值。
3．检查触发能力
实例：使用500型万用表和ZC25-3型兆欧表测量一只S3900MF型逆导晶闸管。